本发明公开的是一种制备高质量薄膜太阳能电池吸收层Cu(In，Ga)Se₂薄膜的新方法。采用离子束溅射沉积法，高纯度的Cu、In、Se和Cu_xGa_1-x合金作为溅射靶材，通过精确控制离子束溅射参数，先后溅射元素或合金靶材制备前躯体薄膜叠层或周期叠层薄膜，在同一真空环境下，高温原位热处理制备所述Cu(In，Ga)Se₂薄膜。本发明提供薄膜太阳能电池吸收层Cu(In，Ga)Se₂薄膜制备的方法，是一种掺杂工艺优化、操作简单和提高原材料利用率的制备方法，实现在CuInSe₂薄膜基础上掺杂Ga元素，并且能够有效控制Ga元素径向分布，制备的Cu(In，Ga)Se₂薄膜结构与性能均满足高效率光伏器件的性能要求，为太阳能电池的开发利用开辟了新的途径。