本发明公开了一种类单晶硅铸锭用籽晶拼接方法，用于定向凝固法类单晶硅铸锭，籽晶层由籽晶紧密排列而成，每两块籽晶拼接面上，至少一条所述拼接面的切线方向与坩埚底部平面的法线方向成α角，0°α90°。本发明采用拼接面切向与平底坩埚底部平面的法线方向，二者不重合的籽晶拼接方式，通过改变籽晶的形状来减少位错源、甚至减少多晶晶界的产生，实现全单晶，位错源少的类单晶生长。进而减少了硅片的位错缺陷，提高了单晶面积比例，提高了太阳能电池的光电转换效率、延长了电池的寿命，从而提高了光伏器件的性能。