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一种氮化硅/氧化硅复合坩埚的制备方法
编号:S000028590 刷新日期: 有效日期至:2020-11-08 浏览:2260 对接邀请:0
意向价格: 面议
所在区域:中国 - 黑龙江 技术领域:能源与环保 - 太阳能利用
转让类型:合作研发
专利类型:发明专利 技术成熟度:可以量产
供应描述
一种氮化硅/氧化硅复合坩埚的制备方法,它涉及一种复合坩埚的制备方法。本发明是要解决目前的底部的热导率高于侧壁的坩埚的生产造价高并且生产成功率低的技术问题。本发明的氮化硅/氧化硅复合坩埚的制备方法:制浆、浇注、脱坯、高温烧结。本发明的氮化硅/氧化硅复合坩埚可以提高加热效率和散热效率,极大改进了硅熔体的定向凝固效果,从而提高硅晶体生长的质量,可以降低晶体硅光伏发电的成本。本发明主要应用于多晶硅定向凝固生长。
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机构地址:No.490, S.Ning'an Str., Yinchuan,Ningxia 查看地图
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