本发明涉及一种硅纳米线径向异质结太阳电池的制备方法，属于光伏技术领域。本方法采用热丝化学气相沉积技术，依次在带有纳米线的单晶硅片上保角沉积本征和n型非晶硅薄膜，制备了结构为n-α-Si:H/i-α-Si:H/p-c-SiNW的纳米线径向异质结太阳电池。借助于热丝化学气相沉积技术良好的原子氢处理和本征非晶硅钝化能力，使制备的纳米线径向异质结太阳电池的性能有了大幅提高。这种太阳电池结构新颖，性能优良，在光伏领域有着广泛的应用价值。