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> 技术详情
在半导体上镀铜
编号:S000028355
刷新日期:
有效日期至:
2020-12-24
浏览:
2184
次
对接邀请:
0
次
意向价格:
面议
所在区域:
中国 -
技术领域:
能源与环保 - 太阳能利用
转让类型:
技术转让
专利类型:
发明专利
技术成熟度:
可以量产
供应描述
使用单价镀铜浴对半导体晶片正面(front?side)的导电轨或发射面(emitter?side)进行金属化。通过电镀或LIP,铜选择性地沉积在导电轨上。导电轨可以通过使用常规的金属镀浴再次金属化。金属化的半导体可用于光伏器件的制造中。
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机构地址:
No.490, S.Ning'an Str., Yinchuan,Ningxia
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认证方式:
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