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在半导体上镀铜
编号:S000028355 刷新日期: 有效日期至:2020-12-24 浏览:2184 对接邀请:0
意向价格: 面议
所在区域:中国 - 技术领域:能源与环保 - 太阳能利用
转让类型:技术转让
专利类型:发明专利 技术成熟度:可以量产
供应描述
使用单价镀铜浴对半导体晶片正面(front?side)的导电轨或发射面(emitter?side)进行金属化。通过电镀或LIP,铜选择性地沉积在导电轨上。导电轨可以通过使用常规的金属镀浴再次金属化。金属化的半导体可用于光伏器件的制造中。
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机构地址:No.490, S.Ning'an Str., Yinchuan,Ningxia 查看地图
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