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硫掺杂的MoO3薄膜作为阳极界面层的有机光伏电池及其制备方法
编号:S000028230 刷新日期: 有效日期至:2020-11-14 浏览:2452 对接邀请:0
意向价格: 面议
所在区域:中国 - 湖北 技术领域:能源与环保 - 太阳能利用
转让类型:合作研发
专利类型:发明专利 技术成熟度:可以量产
供应描述
本发明涉及一种硫掺杂的MoO3薄膜作为阳极界面层的有机光伏电池及其制备方法,包括有氧化物透明导电衬底、阳极界面层、有机光敏活性层和金属电极,所述的阳极界面层是利用磁控溅射系统,通过改变沉积薄膜时的氩氧气氛比,将MoS2靶在氧化物透明导电衬底上沉积出含硫掺杂的MoO3薄膜。本发明的有益效果在于:不存在对ITO的腐蚀性问题,热稳定性好。相对于传统制备MoO3薄膜,用本发明制备的含硫掺杂的MoO3薄膜,减小MoO3薄膜的缺陷,尤其是表面缺陷。有利于改善阳极界面层与光敏活性层之间的界面,让空穴顺利通过阳极界面层及相关界面,达到提高电池的性能的目的。
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机构地址:No.490, S.Ning'an Str., Yinchuan,Ningxia 查看地图
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