本发明是一种用于制造碳化硅器件的高温退火方法，包括以下步骤：1）使用酸性溶液清洗经过离子注入的SiC晶片；2）在SiC晶片上涂覆一层有机化合物作为保护层；3）将SiC晶片放入高温退火炉，充入氩气作为保护气体；4）将SiC晶片加热到第一温度，进行保护层碳化；5）将SiC晶片加热到第二温度，进行高温退火；6）降温阶段。优点：采用碳化后的光刻胶作为高温退火时的保护层，保护层的制备不需要使用额外的设备，在高温炉内就可以完成，工艺简单，成本低；保护气体采用氩气，设备不需要尾气处理系统；改进后的退火条件，能够大幅缩短工艺时间；能够完全保护SiC表面在高温退火过程中不受影响，最终提高器件的可靠性和成品率。