本发明公开了一种大芯片曝光方法及芯片，通过曝光机台曝光一由至少两块光罩组成的大芯片时，该方法包括：在每块光罩的空余区域中确定设置对位标记的第一位置；通过第一方法在所述第一位置形成晶片曝光对位标记；在光刻涂胶层光刻胶的晶片上曝光所述晶片曝光对位标记，通过显影成像，每个曝光场都定义出对位标记图形，根据定义好的晶片曝光对位标记，曝光机台自动对准系统定义所述至少两块光罩的图形曝光，使所述至少两块光罩衔接形成大芯片。本发明公开的方法和装置可以节省零层光罩制作，在保证对准精度的同时可以节省一次长膜、光刻、刻蚀工艺流程，从而降低了大芯片曝光操作的繁杂度。