本发明公开了一种可以用于检测二氧化硫的分子印迹传感器芯片的制备方法，属于二氧化硫检测领域。用真空蒸镀法在基片上镀一层金属膜后自组装；将自组装后基片覆盖在SPR检测系统的反应池上，注满反应液，引发聚合，在基片的金属膜上形成分子印迹膜；通入洗脱液，洗脱处理后得到SO₂分子印迹传感芯片；通入N₂，测量共振角1；通入SO₂，测量共振角2；根据共振角1和共振角2的大小，判断分子印迹传感芯片对SO₂是否有响应。所述方法操作简单，可以直接测定样品中的二氧化硫含量，且灵敏度高，检测成本低，耗能少，反应时间短，干净无污染，易于推广。