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三维集成功率厚膜混合集成电路的集成方法
编号:S000025803 刷新日期: 有效日期至:2020-10-31 浏览:2421 对接邀请:0
意向价格: 面议
所在区域:中国 - 贵州 技术领域:信息通信 - 电子信息及通讯
转让类型:科技服务
专利类型:发明专利 技术成熟度:可以量产
供应描述
本发明公开了三维集成功率厚膜混合集成电路的集成方法,该方法采用凸型陶瓷基片代替传统的平面型陶瓷基片,在凸型陶瓷基片底表面及凸起部分两侧面同时进行芯片或片式元器件的集成;采用丝网印刷或描绘的方式,将导带或阻带浆料按产品设计的图形印刷或描绘在凸型陶瓷基片上,经高温烧结和激光调阻后,得到所需基片,两侧面之间通过通孔、金属化填充进行连接;再用共晶焊接或浆料粘接的方式将基片装贴在管基底座上;最后用厚膜混合集成方式,在凸型陶瓷基片上集成一个以上半导体芯片或片式元器件,并完成半导体芯片的引线键合。本方法提升了功率混合集成电路最大使用功率,生产的器件应用领域广泛,特别适用于装备系统小型化、高可靠的领域。
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机构地址:No.490, S.Ning'an Str., Yinchuan,Ningxia 查看地图
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