本发明提供了一种双掩膜SOIMEMS加工方法，属于微电子机械系统微加工领域。SOI晶圆包括硅结构层、硅衬底层以及位于硅结构层和硅衬底层之间的绝缘层。本发明的SOI晶圆片的硅结构层进行了浓硼掺杂，掺杂浓度大于。本发明的方法包括：在硅片正面溅射一层铝，光刻，刻蚀铝，在硅片上定义出完整的MEMS结构图形；光刻，在硅片上形成细线宽结构图形；采用ICP刻蚀方法刻蚀细线宽结构；去除光刻胶，采用ICP刻蚀方法同时刻蚀宽细线宽结构；刻蚀结构层下的绝缘层；采用KOH溶液腐蚀方法刻蚀硅衬底。本发明可利用SOI材料制作多种MEMS器件，具有结构层厚度可控性好、减小footing效应和寄生电容、加工流程简单等特点。