本发明公布了一种气相传输法制备单晶AlN纳米片和纳米锥的方法,是通过以下工艺过程实现的：将原料Al粉沉积到钼舟中，在硅基片上沉积一薄层铝粉作为生长衬底，并扣置于钼舟中铝源的上方，然后，把钼舟放进长150mm，直径20mm的小石英试管，再把试管置于水平管式炉的反应区。封闭系统后开始抽真空，当系统的真空度低于5帕时，通入氩气对反应系统进行洗气。然后通入氩气和氨气，通过改变氨气和氩气的通气方式，在900℃和850℃的反应温度下，分别得到了单晶纤锌矿结构AlN纳米片和纳米锥。本发明首次在中温区（850-900℃），未使用任何催化剂，直接反应商业铝粉和氨气，实现了AlN纳米片和纳米锥的生长。本方法具有工艺简单，重复性好，生产成本低和易于推广等特点。