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用于基于2.5D/3D系统芯片的宽I/O DRAM的DRAM测试架构
编号:S000025714 刷新日期: 有效日期至:2020-11-25 浏览:2036 对接邀请:0
意向价格: 面议
所在区域:中国 - 技术领域:信息通信 - 电子信息及通讯
转让类型:科技服务
专利类型:发明专利 技术成熟度:可以量产
供应描述
本发明公开了用于基于2.5D/3D系统芯片的宽I/O?DRAM的DRAM测试架构,包括逻辑管芯和存储管芯。在2.5D结构中,逻辑管芯和存储管芯安装在中介片上。在3D结构中,存储管芯安装在逻辑管芯上。逻辑管芯包括包裹有处理器测试外壳的控制逻辑。处理器测试外壳启动控制逻辑的测试部件。存储管芯还安装在中介片上。存储管芯包括动态随机存取存储器和通道选择/旁路逻辑。控制逻辑经由通道选择/旁路逻辑连接至动态随机存取存储器,通过处理器测试外壳来控制通道选择/旁路逻辑。
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机构地址:No.490, S.Ning'an Str., Yinchuan,Ningxia 查看地图
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