本发明涉及一种在硅片上激光一次性二维阵列穿孔方法及装置，该装置包括激光-光纤模板系统、档板控制系统、硅片传递系统和控制器。工作时，控制器驱动光源激光器打开电源，并驱动硅片传递系统将硅片移动到光纤阵列模板正下方的曝光工位位置；驱动档板控制系统打开挡板，实现硅片曝光穿孔；当穿孔结束后，关闭挡板，将硅片从曝光工位移走，同时将下一个硅片移至曝光工位；然后再打开挡板，让位于曝光工位的硅片接受激光照射穿孔。本发明应用于硅基太阳能电池工艺，在------------------------------硅基太阳能电池工艺中增加激光穿孔步骤，实现金属电极绕通，将太阳能电池正面主栅极移至背面，增大电池正面的太阳照射面积，提高太阳能电池效率1%以上。