本发明提供了一种对较厚铁电薄膜实施应力工程用于材料改性的方法，通过采用磁控溅射在STO衬底上相继沉积LNO₃底电极、PZT薄膜和CFO薄膜，并形成a、c电畴共存的PZT薄膜层。本发明提供的方法克服了现有技术的不足，操作方法简单，性能稳定，重复性好，且能大幅提高大于100nm的厚光电功能薄膜材料的性能，同时大大降低了生产成本。