本发明公开了一种基于紫外光刻技术的布基微流控芯片制备方法，该方法包括如下步骤：1、配制PVC光刻胶；2、布片预处理；3、设计掩膜；4、将PVC光刻胶均匀涂于布片上，经过前烘后，把布片放置于载片平台，掩膜对准，进行紫外曝光；后烘，再将涂胶布片放到丁酮中显影，再放到丙酮中漂洗，用纯净水冲洗后，用SDS溶液洗涤，再用纯净水冲洗；烘干，得到布基微流控芯片。相比于图案蜡模法、纺织法加工，本制备方法能够在布基微流控芯片上加工出高分辨率的疏水区和亲水区，芯片上亲水通道宽度低至500微米，疏水坝宽度低至100微米，高通量、精度高、加工检测效率高。