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> 技术详情
Cu/ZnO/Al光电透明导电薄膜的沉积方法
编号:S000022910
刷新日期:
有效日期至:
2020-11-28
浏览:
2248
次
对接邀请:
0
次
意向价格:
面议
所在区域:
中国 - 辽宁
技术领域:
智能制造 - 装备制造业
转让类型:
技术转让
专利类型:
发明专利
技术成熟度:
可以量产
供应描述
一种Cu/ZnO/Al光电透明导电薄膜的沉积方法,属透明导电材料领域。本发明一种按照以下步骤进行:(1)将基片用丙酮、乙醇以及去离子水用超声波依次清洗后,用氮气吹干送入反应室;2)磁控溅射Al膜的沉积;(3)有机物化学气相沉积制备中间层ZnO薄膜:(4)磁控溅射Cu膜的沉积:(5)对Cu/ZnO/Al的多层结构的透明导电薄膜进行高温退火,退火温度为100~400℃,退火时间为30min,得到Cu、Al共同掺杂的ZnO光电透明导电薄膜。本发明制备工艺简单,沉积过程易于控制。本发明制备的透明导电薄膜均匀性好,光电性能优异,电阻率可低至8.0×10
-4
Ω·cm,而其透光率可达82%以上。可用于制造太阳能电池、发光二极管、LCD以及手机等光电器件的透明电极。
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机构地址:
No.490, S.Ning'an Str., Yinchuan,Ningxia
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认证方式:
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