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> 技术详情
阵列式结构的LED组合芯片及其制作方法
编号:S000022777
刷新日期:
有效日期至:
2020-11-06
浏览:
2446
次
对接邀请:
0
次
意向价格:
面议
所在区域:
中国 - 湖南
技术领域:
智能制造 - 装备制造业
转让类型:
技术转让
专利类型:
发明专利
技术成熟度:
可以量产
供应描述
本发明提供了一种具有阵列式结构的LED组合芯片及其制备方法,该组合芯片包括通过阵列式结构布线连接为一颗单颗芯粒的若干颗GaN基LED芯片;每一颗GaN基LED芯片从下到上依次包括:外延片、绝缘隔离层、透明导电层、P型电极及P型焊盘、N型电极及N型焊盘和钝化层。本发明是传统GaN基发光二极管与IC电路相结合的器件,由多个传统GaN基LED芯片单元用阵列式集成,芯片单元组成一颗单颗芯粒,用户封装打线的数量大大减少,降低封装难度。并且,本发明组合芯片以大电流小电压的驱动方式工作,不但缓解由于热失配和晶格失配引起的应力,而且由于侧壁面积的增多而增加光提取效率,从而提高发光效率。
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No.490, S.Ning'an Str., Yinchuan,Ningxia
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认证方式:
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