本发明公开具有导光柱的高压LED芯片及其制备方法，特点是在高压芯片每颗晶粒单元的侧面形成具有倾斜角度的导光柱。导光柱的制备是直接在高压LED芯片制作过程中刻蚀而成，刻蚀面包含外延层侧面和衬底侧面。本发明的导光柱能够改变光束由GaN基发光二极管材料传播至空气时的入射角以避免全反射，同时能够避免光束在该GaN基发光二极管内部重复反射而造成的损耗，提高高压LED芯片的侧面出光效率。同时具有正梯形侧面角度能够保证蒸镀连接桥时不出现短路，侧壁出光能够增大每颗晶粒的发光面积，同时能够减少晶粒侧面发出的光线在晶粒与晶粒之间、晶粒与衬底之间以及晶粒内部发生来回折反射造成的损耗。