本发明涉及发光二极管组件，具体是一种具有镍铟锡氧化物自旋电子注入层的LED芯片结构。本发明解决了现有氮化镓系发光二极管的芯片结构容易导致发光二极管的光取出效率降低及寿命缩短的问题。具有镍铟锡氧化物自旋电子注入层的LED芯片结构包括蓝宝石基板、N型氮化镓外延层、多层量子阱氮化铟镓/氮化镓主动层、P型氮化镓外延层、负电极金属层、以及正电极金属层；还包括铟锡氧化物透明导电层和镍纳米粒子层；其中，N型氮化镓外延层堆栈于蓝宝石基板上。本发明基于全新的结构，有效解决了现有氮化镓系发光二极管的芯片结构容易导致发光二极管的光取出效率降低及寿命缩短的问题，适用于发光二极管的制造。