本发明提供了一种光子晶体结构的发光二级管，该发光二级管自下至上顺序设置有衬底（101）、缓冲层（102）、n型GaN外延层（103）、InGaN/GaN多量子阱的有源发光层（105）、p型GaN外延层（106）、p型超晶格结构（107）、透明导电层（109）、钝化层（110），在n型GaN外延层（103）上还设有n型电极（104），在透明导电层（109）上还设有p型电极（111），在p型超晶格结构（107）中制备有光子晶体结构（108）。所述的发光二级管适用于GaN基LED，也适用于需要提高某一波段反射率的其它光电子器件。