本发明公开一种具有复合势垒的氮化镓基发光二级管，包括从下至上依次设置的蓝宝石衬底、缓冲层、n型氮化镓外延层、多量子阱有源区、p型铝镓氮外延层和p型氮化镓外延层，p型氮化镓外延层上表面设置p型金属电极，n型氮化镓层的下台面上设有n型电极，多量子阱有源区包括5~20个从下至上间隔排列的氮化铟镓势阱层，两相邻氮化铟镓势阱层之间设置有第一类复合势垒层，顶层的氮化铟镓势阱层的上表面设置有第二类复合势垒层，复合势垒中，氮化铝镓铟层与InGaN势阱层接触处，通过调节Al和In的组分减小极化效应产生的内建电场；AlInGaN层与GaN层接触界面上，调节Al与In的比值为0.83:0.17，使二者晶格匹配。