通过在硅晶圆上生长外延LED结构制成的竖直GaN基LED。加入银层并且使其退火以承受大于450℃的温度。提供阻挡层（例如Ni/Ti），在温度高于450℃下，其效用可持续五分钟，防止接合金属扩散进入银层。然后，使用在大于380℃下熔化的高温接合金属(例如AlGe)，将产生的器件晶圆结构晶圆接合至载体晶圆结构。晶圆接合之后，去除硅、加入无金电极(例如Al)并且切割该结构。与电极金属兼容的高温焊料(例如ZnAl)用于管芯附接。管芯附接发生在大于380℃温度下持续十秒，而不熔化接合金属，否则器件被损坏。整个LED不含金，并且因此可在高产量无金半导体制造厂内制造。