本发明提供了一种高亮度GaN基发光二极管外延片，包括衬底、衬底上表面上方设置一非掺杂GaN层，非掺杂GaN层上表面上方依次设置一N型GaN复合层、有源层和P型GaN复合层，在非掺杂GaN层和N型GaN复合层之间进一步设置一极性转换层，所述极性转换层的材料为Mg元素掺杂浓度为1×10²⁰～5×10²⁰cm^-3的P型GaN。本发明的优点在于是一项低成本、简单可控和与传统LED工艺相兼容的N型GaN层表面粗化技术。本发明提出了采用高掺杂P型GaN作为极性转换层，使后面的表面粗化和工艺是在N面实施的，速度更快，效果更好，粗化的表面对DBR的要求也相应降低，因此可以很容易实现界面粗化和高反射率，从而达到上文所述提高GaN基LED光提取效率的目的。