本专利涉及一种采用铜硫化物中间薄层来提高氧化锌基LED透明电极与p型氮化镓之间的欧姆接触，与单纯的采用金属作为中间插入层对比，铜硫化物在光透过率方面有明显提高，同时也能够和p型氮化镓形成较好的欧姆接触。本发光二极管包括：蓝宝石衬底、缓冲层、n型氮化镓、量子阱、p型氮化镓、铜硫化物薄膜、氧化锌基透明电流扩展层、p型金属电极和n型金属电极。利用铜硫化物/氧化锌复合透明电极改善了p型氮化镓与氧化锌透明电极层之间的欧姆接触，提高了LED芯片的光提取效率和LED芯片的可靠性。