本发明涉及一种发光二极管的制作方法，公开了一种采用金属有机化合物气相外延技术生长非对称电子储蓄层高亮度发光二极管的方法，改善有源区晶体质量，提高发光器件内量子效率。本发明在金属有机化合物气相外延反应室中将蓝宝石Al₂O₃衬底在氢气气氛下，三维生长20～30纳米的GaN缓冲层，再在1000～1500℃下生长2～4微米厚n-GaN层；在氮气气氛下，生长n型非对称In组分渐变的电子注入层，在氢气氛下，在950～1040℃生长p型AlGaN电子阻挡层和p-GaN层。本发明所涉及工艺流程均在外延生长中完成，不需要附加芯片工艺流程，具有工艺流程相对简单，可重复性好，附加成本低等优点。