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发光二极管表面金属周期性亚波长结构及其制备方法
编号:S000022350 刷新日期: 有效日期至:2020-10-29 浏览:2194 对接邀请:0
意向价格: 面议
所在区域:中国 - 四川 技术领域:智能制造 - 装备制造业
转让类型:科技服务
专利类型:发明专利 技术成熟度:可以量产
供应描述
本发明涉及发光二极管表面金属周期性亚波长结构及其制备方法。发光二极管表面金属周期性亚波长结构,在半导体发光二极管的P型GaN层和N型GaN层上裸露的并且未被N电极和P电极覆盖的区域设置一层金属周期性亚波长结构,所述金属周期性亚波长结构从下到上依次包括了隔离层、纳米金属点阵层和保护层,所述隔离层贴附在P型GaN层之上,所述隔离层SiNx增透膜,所述保护层为SiO2或SiNx或ZnO保护膜,所述纳米金属点阵层为金属纳米点阵,所述纳米点的直径为50~100nm,纳米点间距为250~500nm,点阵周期为350~500nm,纳米点的厚度为100~300nm。本发明的有益效果是:通过表面非光滑结构减少全反射,可大幅度提高外量子效率。
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机构地址:No.490, S.Ning'an Str., Yinchuan,Ningxia 查看地图
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