一种纳米无荧光粉白光氮化镓发光二极管的制作方法，包括以下步骤：步骤1：取一衬底；步骤2：在衬底上外延生长GaN缓冲层1和n-GaN层；步骤3：在n-GaN层上通过纳米技术制作GaN纳米线模板；步骤4：在GaN纳米线模板上生长GaN过渡层；步骤5：在GaN过渡层上生长InGaN量子盘；步骤6：在InGaN量子盘上生长p-GaN层，形成基片；步骤7：将基片一侧的部分刻蚀掉，刻蚀深度到达n-GaN层内，形成台面；步骤8：在n-GaN层的台面上制作下电极；步骤9：在p-GaN层上制作上电极，完成发光二极管的制作。由于本方法采用的是纳米的模板的基底，能很好地释放应力，从而降低Droop效应，增加LED的发光效率。