本发明公开了一种GaN基发光二极管外延片及其制作方法，属于半导体技术领域。外延片包括衬底、以及在衬底上依次生长的GaN成核层、不掺杂的GaN层、n型层、多量子阱层以及p型层，多量子阱层为多周期结构，每个周期包括InGaN层和GaN层，多周期结构之与n型层接触的周期为第一周期，第一周期的GaN层δ掺杂有Si，且第一周期的GaN层的Si掺杂在远离第一相邻层的位置，第一相邻层为与第一周期的GaN层接触的InGaN层。本发明通过上述方案，可以降低多量子阱层中的位错，屏蔽极化电场的影响，提高晶体质量，Si不会扩散到InGaN层中，可避免在多量子阱层中形成点缺陷，使得电子和空穴的复合效率高，发光效率高。