本发明涉及一种具有电流阻挡结构的GaN基发光二极管芯片及其制作方法。该GaN基发光二极管芯片包括外延层构造、p电极、n电极，p电极由ITO透明电极和金属电极组成，所述金属电极位于ITO透明电极与p型GaN之间并被ITO透明电极围绕，金属电极的下层与p型GaN为肖特基接触，金属电极与ITO透明电极之间为欧姆接触，ITO透明电极与p型GaN为欧姆接触，金属电极上方的ITO透明电极部分开有窗口。本发明的GaN基发光二极管芯片工作时从两侧斜入射到金属电极下表面的光大部分被反射回到外延层中，从而减少了金属电极对光的吸收，提高了LED的外量子效率。