本发明公开了一种倒三角形发光二极管芯片的制作方法，属于光电器件技术领域。该方法包括：提供待分裂的芯片，芯片包括至少两个子芯片；采用隐形切割技术，在两个子芯片之间形成划痕，且划痕形成在芯片的衬底内，并且隐形切割的功率大于使芯片裂开时需要的功率，和/或隐形切割的速度小于使芯片裂开时需要的速度；沿划痕对芯片进行裂片，并使劈刀相对于芯片的正常劈裂位置下降15-30微米；去除裂片时从芯片上脱离的衬底。本发明通过采用隐形切割技术在两个子芯片之间形成划痕，沿划痕进行裂片，劈刀位置相对于正常的劈裂位置下降一定距离，使两个子芯片与劈刀之间形成挤压和碰撞，去除裂片时脱离芯片的衬底，即可制造出倒三角形发光二极管芯片。