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一种GaN基发光二极管外延结构的生长方法

编号：S000022319 刷新日期：有效日期至：2020-11-18 浏览：2757 次对接邀请：0次

意向价格：面议

所在区域：中国 - 安徽技术领域：智能制造 - 装备制造业

转让类型：科技服务

专利类型：发明专利技术成熟度：可以量产

供应描述

本发明公开一种GaN基发光二极管外延结构的生长方法，该外延结构从下向上的顺序依次为：衬底、低温GaN缓冲层、GaN非掺杂层、N型GaN层、浅量子阱层、发光量子阱层、低温P型GaN层、PAlGaN电流阻挡层、高温P型GaN层和P型接触层，所述浅量子阱层包括多个依次交叠的量子阱结构，所述量子阱结构由In_xGa_1-xN势阱层，其中0

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