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> 技术详情
一种GaN基发光二极管外延结构的生长方法
编号：S000022319
刷新日期：
有效日期至：
2020-11-18
浏览：
2083
次
对接邀请：
0
次
意向价格：
面议
所在区域：
中国 - 安徽
技术领域：
智能制造 - 装备制造业
转让类型：
科技服务
专利类型：
发明专利
技术成熟度：
可以量产
供应描述
本发明公开一种GaN基发光二极管外延结构的生长方法，该外延结构从下向上的顺序依次为：衬底、低温GaN缓冲层、GaN非掺杂层、N型GaN层、浅量子阱层、发光量子阱层、低温P型GaN层、PAlGaN电流阻挡层、高温P型GaN层和P型接触层，所述浅量子阱层包括多个依次交叠的量子阱结构，所述量子阱结构由In
x
Ga
1-x
N势阱层，其中0
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No.490, S.Ning'an Str., Yinchuan,Ningxia
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