本发明公开了一种发光二极管的外延片及其制造方法，属于二极管技术领域。该外延片包括衬底层、依次覆盖在所述衬底层上的缓冲层、N型层、MQW层和P型层；N型层由n型掺杂的GaN制成；MQW层包括若干个量子垒层和若干个与各量子垒层相互交替生长的量子阱层，若干个量子垒层中至少一个量子垒层包括三个子量子垒层；位于三个子量子垒层中间的子量子垒层由n型掺杂的Al_xIn_yGa_1-x-yN制成，n型掺杂浓度不大于N型层的n型掺杂浓度；另外两个子量子垒层均由不掺杂的GaN制成；0＜x＜1，0＜y＜1。通过本发明的技术方案，能够提高LED的抗静电能力。