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发光二极管阵列芯片结构及其制备方法
编号:S000022306 刷新日期: 有效日期至:2020-10-12 浏览:2064 对接邀请:0
意向价格: 面议
所在区域:中国 - 贵州 技术领域:智能制造 - 装备制造业
转让类型:科技服务
专利类型:发明专利 技术成熟度:可以量产
供应描述
本发明公开了一种发光二极管阵列芯片结构,包括衬底,其特征在于:在衬底上设有缓冲层,在缓冲层的顶面设有n型层,在缓冲层与n型层之间设有线状平行排列的n型层引线;在n型层的顶面设有RGB发光层,在RGB发光层、n型层及缓冲层之间设有与n型层引线对应的隔离层Ⅰ;在RGB发光层的顶面上设有p型层,在p型层的顶面上设有透明电机层,在透明电机层的顶面上设有p型层引线,在p型层与透明电机层之间设有与p型层引线位置对应的隔离层Ⅱ,在隔离层Ⅱ的顶面设有覆盖了透明电极层,但是露出了p型层引线的钝化保护层。本发明所制作得到的产品在整体可实现真彩发光、一定发光区域组合方式下实现白光或单色光发射。
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机构地址:No.490, S.Ning'an Str., Yinchuan,Ningxia 查看地图
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