本发明公开了一种高亮度碳化硅外延发光二极管，自下往上依次为n型电极（11）、硅衬底（1）、碳化硅外延层（2）、低温缓冲层（3）、n型掺杂的Al_0.05In_0.05Ga_0.9N层（4）、交替形成的超晶格结构的n-Al_0.05In_0.05Ga_0.9N/n-AI_0.05In_0.05Ga_0.9P多量子阱层（5）、p型掺杂的AlGaN层（6）、p型掺杂的Al_0.1In_0.05Ga_0.85N层（7）、交替形成的超晶格结构的p-Al_0.05In_0.1Ga_0.85N/p-AI_0.05In_0.1Ga_0.85P多量子阱层（8），透明金属层（9）以及p型电极（10）。