本发明公开了一种AlGaN基DBR高反射紫外发光二极管及制作方法。该紫外发光二极管依次包括：衬底、AlN成核层、n型AlGaN势垒层、有源区、p型AlGaN势垒层和p型GaN冒层；其中，所述p型AlGaN势垒层上制作有DBR高反射结构。本发明提出的紫外发光二极管中被p型GaN冒层吸收的光线经过所述DBR高反射结构反射后，由底部发出，极大的提高了出射光的功率和效率。本发明提出的上述其外发光二极管器件及其制作方法工艺简单，重复性好，可靠性高，可用于空气/水净化，医疗，生物医学，白光照明以及空间通信等领域。