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高亮度及低衰减的LED发光二极管的制造方法
编号:S000022266 刷新日期: 有效日期至:2020-10-27 浏览:2215 对接邀请:0
意向价格: 面议
所在区域:中国 - 广东 技术领域:智能制造 - 装备制造业
转让类型:技术转让
专利类型:发明专利 技术成熟度:可以量产
供应描述
本发明公开了一种高亮度及低衰减的LED发光二极管的制造方法,制造方法包括以下步骤:①、首先取碳化硅衬底,并在所述碳化硅衬底上制作氮化镓LED晶体外延片;②、检测氮化镓LED晶体外延片的表面和厚度;③、采用扩晶机将氮化镓LED晶体外延片分割成多个重复的单元;④、点低衰减的绝缘胶,并焊线;⑤、在氮化镓LED晶体外延片上点抗光衰原胶;⑥、灌注封装胶;⑦、脱模后检测分光;⑧、包装入库。本发明制造方法操作方便、实用,制得的LED发光二极管发光效率高,光输出亮度大,可靠性高,寿命长,低衰减。
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机构地址:No.490, S.Ning'an Str., Yinchuan,Ningxia 查看地图
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