本发明提供了一种具有交叉光栅结构的发光二极管及其制备方法，该发光二极管包括衬底（1），生长在衬底（1）上的具有第一光栅结构的介质薄膜层（2），与介质薄膜层（2）键合在一起的具有第二光栅结构的p型GaN外延层（3），生长在p型GaN外延层（3）上的InGaN多量子阱有源发光层（4）和生长在InGaN多量子阱有源发光层（4）上的n型GaN外延层（5），其中，第一光栅结构与第二光栅结构以0～90°之间的任一交叉角度键合在一起，构成交叉光栅结构。本发明有效提高发光二极管的出光效率，有利于进一步提高发光二级管的光提取效率和导热性能。