本发明公开了一种发光二极管芯片制作方法，采用外延方式在氮化镓基发光外延层上生长氧化锌层作为高温侧壁蚀刻处理的保护层，因氧化锌与氮化镓晶格匹配度较好，所以采用外延生长方式可以获得晶格质量较好的膜层，在氧化锌层上再沉积耐酸性材料作为氧化锌层的保护层，这样可以在高温酸性溶液蚀刻过程中起到很好的保护氮化镓外延层的作用，特别是对于接触材料采用金属银的倒装结构芯片，可以较好得保持银与p型外延层的欧姆接触特性。