本发明公开了一种发光二极管的芯片的制备方法，属于半导体领域。芯片：衬底层、N型层、发光层、P型层和透明导电层、以及分别在N型层和P型层上引出的N电极和P电极，芯片还包括覆盖在衬底层的底面和/或透明导电层的上表面的透明介质层；覆盖在衬底层的底面的透明介质层的折射率高于衬底层的折射率；覆盖在透明导电层的上表面的透明介质层的折射率高于透明导电层的折射率；覆盖在衬底层的底面的透明介质层包括若干从衬底层的底面延伸出的凸起；覆盖在透明导电层的上表面的透明介质层包括若干从透明导电层的上表面延伸出的凸起。本发明提高了LED的光提取效率。