本发明公开了一种具电流注入调制层(current？modulation？layer)的发光二极管之外延结构设计，具体的说是关于导入一种高阻值(high？resistivity)的材料以改变注入电流传导路径。其主要的结构实施为分别在N型传导层或P型传导层中成长高阻值材料（如In_xAl_yGa_1-x-yN），借由高温H₂在反应炉内蚀刻（In？Situ？Etching）直至露出部分电流传导路径，再分别成长N型或P型传导层于以覆盖而得。此设计无需二次外延即可形成电流注入调制层，此法使得注入电流在N型传导层与P型传导层具一更佳之扩展路径，更有效均匀扩散注入有源区层，进而增加发光效率。