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一种发光二极管芯片的外延层生长方法
编号:S000022211 刷新日期: 有效日期至:2020-11-13 浏览:2428 对接邀请:0
意向价格: 面议
所在区域:中国 - 湖北 技术领域:智能制造 - 装备制造业
转让类型:合作研发
专利类型:发明专利 技术成熟度:可以量产
供应描述
本发明公开了一种发光二极管芯片的外延层生长方法,属于半导体技术领域。该方法包括:在衬底上采用金属有机化合物气相沉积方法依次生长不掺杂的GaN层、n型层、量子阱有源区层、p型层,所述量子阱有源区层的生长压力为600~750torr。本发明在外延层生长的过程中,外延层的材料会同时进行生长和裂解,通过将量子阱有源区层的生长压力设为600~750torr,增强了量子阱有源区层的材料的裂解效应,而较强的裂解效应使得材料的表面变得粗糙,有效增加了材料的横向生长效应,从而降低了材料中的缺陷密度,提高了发光二极管芯片的晶体质量和内量子效率,进而提高了发光二极管芯片的发光效率。
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机构地址:No.490, S.Ning'an Str., Yinchuan,Ningxia 查看地图
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