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> 技术详情
一种台阶结构的高亮度发光二极管
编号:S000022203
刷新日期:
有效日期至:
2020-12-11
浏览:
2333
次
对接邀请:
0
次
意向价格:
面议
所在区域:
中国 - 江苏
技术领域:
智能制造 - 装备制造业
转让类型:
科技服务
专利类型:
发明专利
技术成熟度:
可以量产
供应描述
本发明公开了一种台阶结构的发光二极管,所述发光二极管的结构为:在蓝宝石衬底上依次具有低温缓冲层、n型掺杂的Al
0.05
In
0.05
Ga
0.9
N层、交替形成的超晶格结构的n-Al
0.05
In
0.05
Ga
0.9
N/n-AI
0.05
In
0.05
Ga
0.9
P多量子阱层、p型掺杂的AlGaN层、p型掺杂的In
0.05
Ga
0.95
N层、交替形成的超晶格结构的p-In
0.1
Ga
0.95
N/p-In
0.1
Ga
0.95
P多量子阱层,第一透明金属层以及p型电极,其中在所述n型掺杂的Al
0.05
In
0.05
Ga
0.9
N层上具有第二透明金属层以及n电极。
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机构地址:
No.490, S.Ning'an Str., Yinchuan,Ningxia
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认证方式:
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