本发明提供一种发光二极管外延生长方法。该方法包括：在衬底上，从下至上依次生长缓冲层、非掺杂层、N型掺杂层、量子阱发光层和P型掺杂层，所述非掺杂层采用退火方式进行生长。本发明提供的发光二极管外延生长方法，利用退火方式交替生长非掺杂层，可以有效地改善衬底在高温下的翘曲度，提高衬底底部温度的均匀性，进而提高波长分布的均匀性和LED的质量。另外，还可以在一定程度上降低测试和分选成本。