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> 技术详情
一种氮化镓基发光二极管
编号:S000022166
刷新日期:
有效日期至:
2020-10-10
浏览:
2358
次
对接邀请:
0
次
意向价格:
面议
所在区域:
中国 - 安徽
技术领域:
智能制造 - 装备制造业
转让类型:
技术转让
专利类型:
发明专利
技术成熟度:
可以量产
供应描述
本发明涉及一种具有氮化镓基发光二极管,包括:一具正、背两面的衬底;外延层,形成于所述衬底的正面上,自上而下依次包含P型层、发光区和N型层;电流扩展层,形成于所述P型层之上;P电极,形成所述电流扩展层之上;其特征在于:还包括第一反射层,位于所述电流扩展层与外延层之间,其呈带状分布在外延层的边缘区域;第二反射层,位于所述衬底的背面。本发明通过在LED外延层的表面边缘区域设置带状或环状的第一反射层,可以增强发光二极管的侧面取光的几率,即控制发光层发出的光线向上和侧面出射的比例,从而调整芯片的出光分布均匀性,改善散热不均匀现象。
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机构地址:
No.490, S.Ning'an Str., Yinchuan,Ningxia
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认证方式:
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