本发明提供一种采用隐形切割和侧壁蚀刻技术相结合制作高亮度发光二极管的方法。本发明有效地利用隐形切割和侧壁蚀刻的优势，克服了激光正划工艺对GaN芯片横向侧壁留下的烧痕等副产物腐蚀清洗困难的问题，增加发光二极管侧壁的出光效率，进一步地，发光二极管纵、横侧壁均获得贯穿的周期性分布孔洞结构，更大程度地提升了芯片的发光亮度、降低漏电不良率、提高劈裂良率。