本发明公开了一种发光二极管芯片及其制造方法，属于半导体技术领域。该芯片包括：衬底、依次层叠在衬底上的缓冲层、不掺杂的GaN层、n型层、量子阱发光层、p型层，不掺杂的GaN层的与n型层接触的表面上设有若干个孔洞，每个孔洞中沉积有荧光粉，且每个孔洞中的荧光粉的厚度小于孔洞的深度。本发明通过在不掺杂的GaN层上设置若干个孔洞，n型层位于不掺杂的GaN层上，减小了GaN层与n型层的晶格不匹配的差异，降低了n型层中的缺陷密度，有利于外延层中应力的释放和减少了缺陷对量子阱有源区的影响，提高了发光二极管的内量子效率和亮度；且孔洞中设有荧光粉，增加了发光二极管的外量子效率，提高了发光二极管亮度。