氮化镓发光二极管的快速热退火。本发明公开一种在形成氮化镓(GaN)发光二极管(LED)时所执行的快速热退火的方法，以及使用所述快速热退火方法所形成的氮化镓发光二极管。一种例示性方法包含形成氮化镓多层结构，其具有n型氮化镓层与p型氮化镓层，且所述n型氮化镓层与p型氮化镓层之间夹入激活层。该方法还包含使用激光器或闪光灯对p型氮化镓层执行快速热退火。该方法还包含在氮化镓多层结构上形成透明导电层，且将p型接触添加至透明导电层上及将n型接触添加至n型氮化镓层上。所得氮化镓发光二极管具有增强的输出功率、更低的接通电压及减低的串联电阻。