本发明公开了一种发光二极管的外延片以及发光二极管，属于半导体技术领域。该外延片包括：衬底以及依次层叠在衬底上的缓冲层、n型层、多量子阱层和p型层，多量子阱层包括若干个量子垒层和若干个与量子垒层相互交替生长的量子阱层，p型层直接设于多量子阱层上，多量子阱层中的靠近p型层的三个量子垒层中的至少一个为Al_xIn_yGa_1-x-yN层，其中，0xIn_yGa_1-x-yN层，能有效提高势垒高度，提高了电子的限制能力，防止了电子溢流；并且通过将p型层直接设于多量子阱层上，即本发明的外延片中不包括电子阻挡层，避免了电子阻挡层对于多量子阱层的极化作用，提高了空穴的注入效率。