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一种GaN基发光二极管及其制造方法
编号:S000022079 刷新日期: 有效日期至:2020-11-17 浏览:2374 对接邀请:0
意向价格: 面议
所在区域:中国 - 江苏 技术领域:智能制造 - 装备制造业
转让类型:合作研发
专利类型:发明专利 技术成熟度:可以量产
供应描述
本发明公开了一种GaN基发光二极管,包括依次层叠的衬底、n型接触层、有源层和p型接触层;其中衬底为蓝宝石衬底,n型接触层为n型AlGaN层,p型接触层为p型GaN层;有源层为AlGaN多量子阱。本发明还公开了一种GaN基发光二极管的制造方法包括准备并处理蓝宝石衬底,以及在蓝宝石衬底上依次沉积AlN模板层、低温GaN插入层和AlGaN过渡层、n型接触层、有源层、p型电子阻挡层、p型过渡层和p型接触层。采用处理后的蓝宝石晶片作为衬底形成的发光二极管,增大了击穿场强,减少了漏电,增加了导热性,光发射效率更高,可靠性更大。该方法可以明显的减小发光二极管衬底中的晶体缺陷密度,提高发光二极管的性能和寿命。
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机构地址:No.490, S.Ning'an Str., Yinchuan,Ningxia 查看地图
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